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Nexperia公司器件型號：PMV35EPER

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7"" Q3/T

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態：在售

FET 類型：P 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：5.3A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：19.2nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：793pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：480mW（Ta）, 1.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 4.2A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標準封裝：TO-236AB

封裝形式：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

PMV35EPER的標準包裝數量(SPQ)：3000 PCS