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NXP恩智浦完整型號：PMXB350UPE

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：447 毫歐 @ 1.2A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.3nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：116pF @ 10V

功率 - 最大值：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-XFDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：3-DFN （1.1x1）