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NXP恩智浦完整型號(hào)：PMDXB600UNEZ

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：600mA

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：620 毫歐 @ 600mA， 4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：21.3pF @ 10V

功率 - 最大值：265mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-XFDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：6-DFN （1.1x1）