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NXP恩智浦完整型號: PMDXB550UNEZ

制造廠家名稱: NXP Semiconductors

功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V DUAL DFN1010B-6

系列: -

FET 類型: 2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 590mA

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 670 毫歐 @ 590mA，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 1.05nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 30.3pF @ 15V

功率 - 最大值: 285mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-XFDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝: DFN1010B-6