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PHM30NQ10T,518
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NXP恩智浦完整型號:PHM30NQ10T,518

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

系列:TrenchMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):37.6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 18A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):53.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3600pF @ 25V

功率 - 最大值:62.5W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝:8-HVSON(6x5)


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