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Microsemi美高森美完整型號(hào)：APTM60A11FT1G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

系列：-

FET 類型：2 個(gè) N 通道（半橋）

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：40A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：132 毫歐 @ 33A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：330nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：10552pF @ 25V

功率 - 最大值：390W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP1

供應(yīng)商器件封裝：SP1