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Microsemi美高森美完整型號：APTM100A13DG

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

系列：-

FET 類型：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：65A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：562nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15200pF @ 25V

功率 - 最大值：1250W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP6

供應商器件封裝：SP6