91偷拍一区二区三区精品-91图片-91外教网-91外围-91玩-91网

APTGT35H120T1G >>> Microsemi芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供Microsemi公司APTGT35H120T1G報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！

采購APTGT35H120T1G？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！

Microsemi美高森美完整型號：APTGT35H120T1G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

系列：-

IGBT 類型：溝道和場截止

配置：全橋反相器

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：55A

功率 - 最大值：208W

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.1V @ 15V，35A

電流 - 集電極截止（最大值）：250μA

不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：2.5nF @ 25V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：是

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP1

供應商器件封裝：SP1