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APT50GP60B2DQ2G
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Microsemi美高森美完整型號(hào):APT50GP60B2DQ2G

制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group

描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX

系列:POWER MOS 7

IGBT 類型:PT

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150A

Current - Collector Pulsed (Icm):190A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.7V @ 15V,50A

功率 - 最大值:625W

Switching Energy:465μJ (開(kāi)), 635μJ (關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge:165nC

25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:19ns/85ns

Test Condition:400V, 50A, 4.3 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-

封裝/外殼:TO-247-3 變式

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:*


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