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2N7000-G
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Microchip公司完整型號:2N7000-G

制造廠家名稱:Microchip Technology

描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):200mA(Tj)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):60pF @ 25V

功率 - 最大值:1W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3


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