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IXTT6N120
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IXYS公司完整型號:IXTT6N120

制造廠家名稱:IXYS

描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.6 歐姆 @ 3A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):56nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1950pF @ 25V

功率 - 最大值:300W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA

供應商器件封裝:TO-268


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