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IR公司完整型號(hào)：IRFH5110TR2PBF

制造廠家名稱(chēng)：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

系列：HEXFET

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A（Ta），63A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：12.4 毫歐 @ 37A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3152pF @ 25V

功率 - 最大值：3.6W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVQFN

供應(yīng)商器件封裝：PQFN（5x6）