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IR公司完整型號：IRFB17N20D

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：16A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 9.8A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 25V

功率 - 最大值：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB