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IRF7779L2TR1PBF
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IR公司完整型號(hào):IRF7779L2TR1PBF

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):150V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):375A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):11 毫歐 @ 40A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):150nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):6660pF @ 25V

功率 - 最大值:3.3W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:DirectFET 等距 L8

供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET L8


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