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IRF6706S2TR1PBF
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IR公司完整型號:IRF6706S2TR1PBF

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):17A(Ta),63A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 17A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1810pF @ 13V

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:DirectFET 等容 S1

供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET S1


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