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IR公司完整型號：IRF6662TR1PBF

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.3A（Ta），47A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1360pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET 等容 MZ

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MZ