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HGT1S10N120BNS
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Fairchild仙童公司完整型號:HGT1S10N120BNS

制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor

描述:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

系列:-

IGBT 類型:NPT

電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):35A

Current - Collector Pulsed (Icm):80A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.7V @ 15V,10A

功率 - 最大值:298W

Switching Energy:320μJ (開), 800μJ (關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge:100nC

25°C 時 Td(開/關(guān))值:23ns/165ns

Test Condition:960V, 10A, 10 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時間 (trr):-

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

安裝類型:表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB


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