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FQD12N20LTM
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Fairchild仙童公司完整型號:FQD12N20LTM

制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

系列:QFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):280 毫歐 @ 4.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):21nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1080pF @ 25V

功率 - 最大值:2.5W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak


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