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FQD10N20CTM
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Fairchild仙童公司完整型號:FQD10N20CTM

制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

系列:QFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7.8A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):360 毫歐 @ 3.9A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):26nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):510pF @ 25V

功率 - 最大值:50W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3


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