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Diodes公司完整型號：DMN2600UFB-7

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH DFN1006-3

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：350 毫歐 @ 200mA，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.85nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：70.13pF @ 15V

功率 - 最大值：540mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-UFDFN

供應商器件封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）