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DMN10H120SFG-13
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Diodes公司完整型號(hào):DMN10H120SFG-13

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SOIC

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):4.8A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):110 毫歐 @ 3.3A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):10.6nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):549pF @ 50V

功率 - 最大值:1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝:PowerDI3333-8


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