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Vishay威世半導體原廠型號：SIHB12N60E-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO263

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：58nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：937pF @ 100V

功率 - 最大值：147W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：D2PAK