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SIA911EDJ-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIA911EDJ-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.5A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):101 毫歐 @ 2.7A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:7.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SC-70-6 雙

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-70-6 雙


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