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SI8425DB-T1-E1
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI8425DB-T1-E1

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):-

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):23 毫歐 @ 2A, 4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):110nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2800pF @ 10V

功率 - 最大值:1.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-UFBGA,WLCSP

供應(yīng)商器件封裝:4-WLCSP (1.6x1.6)


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