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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RT1A060APTR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓（Vdss）: 12V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 6A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 19 毫歐 @ 6A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 80nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 7800pF @ 6V

功率 - 最大值: 550mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: 8-TSST