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Nexperia公司器件型號：PHD20N06T,118

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：TrenchMOS??

零件狀態(tài)：在售

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：18A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：422pF @ 25V

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：51W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：77 毫歐 @ 10A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：DPAK

封裝形式：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

PHD20N06T的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：10000 PCS