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IXYS公司完整型號：IXTY1R6N100D2

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.6A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 歐姆 @ 800mA，0V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：645pF @ 25V

功率 - 最大值：100W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）